会社沿革

沿革

1951(昭和26)年08月
東京都三鷹市に金銀鍍金研究室創立
1952(昭和27)年10月
東京都小平町(現 小平市)に研究室移転
1956(昭和31)年11月
有限会社 西原表面加工所に改組、トランジスタその他半導体部品の量産開始
1960(昭和35)年03月
株式会社に組織変更、小平工場及び設備を増設
1961(昭和36)年04月
プリント配線部を独立させ、東洋プリント配線(株)を設立
1963(昭和38)年06月
技術部設備課を独立させ、東洋化工機(株)を設立
1965(昭和40)年04月
SABめっき発明(光沢半田電気めっき)、半導体、電子部品及びプリント配線板のめっきに新分野を開拓
1966(昭和41)年01月
甲府市に甲府工場を建設、SABめっきを主体としたダイオードのめっき及びマーク印刷の量産開始
1969(昭和44)年03月
ニシハラ理工(株)に社名変更、埼玉県入間市に狭山工場新設 半導体、電子部品の量産自動化を達成
1977(昭和52)年10月
技術部開発課を独立させ、(株)東洋理工研究所を設立
1980(昭和55)年04月
ICリードフレーム連続スポットめっき装置開発
1984(昭和59)年06月
佐賀工場を新設し、ICリードフレームのめっき量産を開始
1985(昭和60)年05月
フープ材の高精度ストライプめっき技術(STP)を確立
1988(昭和63)年05月
東京都武蔵村山市にニシハラ理工(株)・東洋プリント配線(株)の本社工場新築移転
1991(平成03)年05月
(株)東洋理工研究所と東洋化工機(株)を合併させ、(株)NRエンジニアリングを設立
1996(平成08)年03月
鉛環境対策としての新接合材料錫合金めっきを開発
1996(平成08)年08月
NR-C Plating (M) SND.BHD をマレーシアに設立
1997(平成09)年10月
本社及び狭山工場ISO9002認証取得
1998(平成10)年09月
鉛フリーめっきの量産を開始
1998(平成10)年10月
系列の東洋プリント配線(株)・(株)NRエンジニアリングを合併し、新体制のニシハラ理工(株)としてスタート
1999(平成11)年08月
資本金を3,810万円に増資
2001(平成13)年08月
ニシハラ理工(株)創業50周年
2002(平成14)年11月
ISO9001 全社ISO認証取得
2003(平成15)年11月
Pbに代わるSnBiめっきに関する特許取得(特許第3492554号)
2003(平成15)年12月
ISO14001 全社ISO認証取得
2006(平成18)年09月
コネクター向け部分Auめっきの量産を開始
2006(平成18)年11月
資本金を7,620万円に増資
2008(平成20)年07月
経済産業省より『元気なモノ作り中小企業300社』に選出
2009 (平成21) 年07月
関東経済産業局より異分野連携新事業分野開拓計画
「高精度マスキング方式による部分めっきの開発と事業化」認定
2011 (平成23) 年08月
ニシハラ理工(株)創業60周年
2012(平成24)年07月
社団法人日本プラントメンテナンス協会よりTPMチェレンジ賞を受賞
2012(平成24)年07月
NR-C Plating ジョホール工場をシャーアラム工場へ集約